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【元器件科普】EEPROM存储器:可反复擦写的电子保险箱

EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,电可擦除可编程只读存储器)是一种非易失性存储器。它结合了ROM断电不丢失数据的特性,又支持像RAM一样通过电信号反复擦写。

一、核心原理:浮栅晶体管

EEPROM的核心是每个存储单元都包含一个浮栅晶体管

  • 浮栅:位于控制栅和衬底之间,被二氧化硅绝缘层完全包裹,与外界电气隔离
  • 控制栅:连接外部电压,用于控制操作

二、三种操作

写入(Programming)

向控制栅施加高压(10~15V),电子通过量子隧穿效应穿越氧化层注入浮栅。浮栅捕获电子后带负电,晶体管处于”关闭”或”0″状态。

擦除(Erasing)

施加反向高压,将浮栅中的电子”吸”出来。阈值电压恢复,晶体管回到”导通”或”1″状态。

读取(Reading)

施加中等读取电压。浮栅有电子(存储”0″)→晶体管不导通;浮栅无电子(存储”1″)→晶体管导通。通过检测电流有无读出0或1。

三、核心特性

特性 说明
非易失性 断电后数据不丢失
字节级操作 可独立对任意单个字节读写擦除
高耐久性 典型擦写寿命10万~100万次
低功耗 待机电流极低(<2μA)

四、EEPROM vs Flash vs ROM

特性 EEPROM Flash ROM
擦写方式 电信号擦除 电信号擦除 不可擦写
操作单位 按字节 按块/扇区 整块芯片
擦写寿命 10万~100万次 几千~几万次 无限
容量/成本 容量小、单位成本高 容量极大、单位成本低 容量小、成本低

五、应用场景

  • BIOS配置存储
  • 传感器校准值
  • 智能门锁密码
  • 汽车ECU配置

本文整理自网络公开资料,仅供学习参考。