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光旅电子 MOS场效应管 FDS6912A N+N沟道 30V 6A 封装 SOP8 原厂

¥0.30

场效应晶体管（FET）>金属氧化物场效应管（MOSFET）>P沟道MOSFET

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光旅电子 MOS场效应管 FDS89161 N+N沟道 100V 2.7A 封装 SOP8

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场效应晶体管（FET）>金属氧化物场效应管（MOSFET）>P沟道MOSFET

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光旅电子 MOS场效应管 FDS89161LZ N+N沟道 100V 2.7A 封装 SOP8

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场效应晶体管（FET）>金属氧化物场效应管（MOSFET）>P沟道MOSFET

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光旅电子 MOS场效应管 FDS8935 P+P沟道 -80V -2.1A 封装 SOP8

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场效应晶体管（FET）>金属氧化物场效应管（MOSFET）>P沟道MOSFET

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光旅电子 MOS场效应管 FDS8947A P+P沟道 -30V -4.0A 封装 SOP8

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场效应晶体管（FET）>金属氧化物场效应管（MOSFET）>P沟道MOSFET

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光旅电子 MOS场效应管 FDS8958 N+P沟道 30V 7A/-5A 封装 SOP8

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场效应晶体管（FET）>金属氧化物场效应管（MOSFET）>P沟道MOSFET

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光旅电子 MOS场效应管 FDS8958B N+P沟道 30V 7A/-5A 封装 SOP8

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场效应晶体管（FET）>金属氧化物场效应管（MOSFET）>P沟道MOSFET

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光旅电子 MOS场效应管 FQP1N60C 参数 N沟道 600V 1A TO220 原厂

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场效应晶体管（FET）>金属氧化物场效应管（MOSFET）>P沟道MOSFET

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光旅电子 MOS场效应管 FQP20N06C 参数 N沟道 60V 20A TO220 原厂

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场效应晶体管（FET）>金属氧化物场效应管（MOSFET）>P沟道MOSFET

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光旅电子 MOS场效应管 FQP30N06C 参数 N沟道 60V 30A TO220 原厂

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场效应晶体管（FET）>金属氧化物场效应管（MOSFET）>P沟道MOSFET

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光旅电子 MOS场效应管 FQP4N60C 参数 N沟道 600V 4A TO220 原厂

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场效应晶体管（FET）>金属氧化物场效应管（MOSFET）>N沟道MOSFET

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光旅电子 MOS场效应管 FQP50N06C 参数 N沟道 60V 50A TO220 原厂

¥5.00

场效应晶体管（FET）>金属氧化物场效应管（MOSFET）>N沟道MOSFET

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