元器件科普

碳化硅(SiC) MOSFET与氮化镓(GaN) HEMT深度对比：第三代半导体的选型指南

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引言：第三代半导体的崛起 随着电动汽车、5G通信、光伏储能和快充技术的飞速发展，传统的硅（Si）基功率半导体已经逐渐逼近其材料性能极限。以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代宽禁带半导体，正以前所未有的速度渗透到电力电子领域的各个角落。 对于电子元器件选型工...
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